Yarıiletken
veya solid-state. Onlar iki terminale sahiptir. Onların temel işlevi akımı sadece tek yönde akmasına izin vermektir. Bir doğrultucu denir bu işlevi gerçekleştiren bir aygıt.
En yarıiletken diyotlar birleşme diyotlar vardır. Bir birleşim diyodu bir tarafı, bir p-tipi yarı iletken ve diğer tarafı, bir n-tipi yarı iletken olduğu bir şekilde takviye edilmiş bir silikon küçük tek kristal oluşmaktadır. Malzeme karşılamak iki tip diyot doğrultucu olarak işlev kabiliyetini verir pn ekleminin elektriksel özellikleri.
p-tipi yarıiletken deliklerin varlığı ve bir serbest elektronların varlığına rağmen n-tipi yarıiletkenler, her iki malzemeler normal olarak, elektrikle bu nötrdür, her malzeme proton sayısı elektron eşit sayıda dengelenir bulunmaktadır. Pn kavşak yakınında, ancak, n-tipi bölgeden serbest elektronlar da delikli birleştirmek ve negatif iyonlar oluştururlar komşu p-tipi bölgeye, geçer. P-tipi bölgeden delikler serbest elektronlar birleşerek ve pozitif iyonlar oluşturan n-tipi bölgeye, geçer. Bu eylemler, bir negatif yükü ve pozitif yüklü kavşak yakınında n-tipi malzeme ile kavşak yakınında p-tipi malzeme bırakın. Elektrik yükünün dağıtılması jonksiyonlarında yük taşıyıcılarının daha fazla hareketin zıt bir elektrik engeli oluşturur.
p-tipi bölgesi n daha yüksek bir voltajda, böylece bir voltaj diyot boyunca uygulandığında tipi bölge kavşağında karşıdan karşıya elektrik bariyer azalır. Pn ekleminin üzerinden bir voltaj uygulanması, bir ön meyil olarak adlandırılır. N-tipi bölge ve p-tipi bölge deliklerden serbest elektronlar da birleştirmek kavşağında, doğru çizilir. Bu sürecin süresiz devam edecek ve elektronlar sürekli diyot bir ucunu girmek ve diğer bırakacak çünkü diyot nedenle, bir elektrik akımı yürütmektedir.
pn ekleminin boyunca ters gerilim uygulaması ters önyargı denir . Bir ters önyargı ile, kavşakta elektrik bariyer yükseltilir ve p-tipi bölgeden n-tipi bölge ve deliklerden hem serbest elektronların engeller geçit. Bu koşullar altında, buradaki beslemenin akış ve diyot yapmaz.
Schottky diyodu bir n-tipi yarı iletken ile temas halinde bir metal yerleştirilmesi ile oluşturulmaktadır. Bu şekilde oluşturulan bağlantı, yüksek hızlı mantık devreleri gibi yüksek frekanslı devrelerinde özellikle yararlıdır.
diyot Bu tür kapasitans ile devre bir cihaz elektrik yükü depolamak için izin veren bir elektrik özelliği sağlar. Bir devrede, kapasite g
